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2021年中国存储芯片行业市场竞争格局与发展趋势分析

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    来源:前瞻产业研究院    作者:编辑部  2021-07-16 16:07:41
导读

在国家大力支持半导体产业发展的大背景下,半导体行业迅速发展,推动中国存储芯片应用场景不断拓宽。2016年以来,国内存储芯片行业涌现出一批新型企业,为打破国外企业的垄断做出了杰出贡献。存储芯片行业主要上市公司:中芯国际(688981)、兆易创新(603986)、紫光国微(002049)、聚辰股份(688123)、澜起科技(688008)等本文核

来源:前瞻产业研究院  编辑部

在国家大力支持半导体产业发展的大背景下,半导体行业迅速发展,推动中国存储芯片应用场景不断拓宽。2016年以来,国内存储芯片行业涌现出一批新型企业,为打破国外企业的垄断做出了杰出贡献。

存储芯片行业主要上市公司:中芯国际(688981)、兆易创新(603986)、紫光国微(002049)、聚辰股份(688123)、澜起科技(688008)等

本文核心数据:全球存储芯片行业竞争层次、中国存储芯片行业发展历程、中国存储芯片市场厂商竞争力分析。

1、全球存储芯片行业集中度高,国内市场处于成长阶段

存储芯片,又称半导体存储器,是以半导体电路作为存储媒介的存储器,用于保存二进制数据的记忆设备,是现代数字系统的重要组成部分。存储芯片具有体积小、存储速度快等特点,广泛应用于内存、U盘、消费电子、智能终端、固态存储硬盘等领域。

目前全球储存芯片市场被海外企业垄断。DRAM领域,三星、美光、SK海力士占据95%的市场份额;NAND Flash领域被三星、美光、SK海力士、英特尔垄断;NOR Flash领域海外垄断程度最低,旺宏、华邦、兆易创新市占率前三,合计占据70%份额。

我国具有设计存储芯片的头部企业主要包括长江存储、长鑫存储、兆易创新、紫光国芯、中芯国际以及华虹半导体等,主要存储芯片业务布局为NOR Flash及闪存芯片设计。

图表1:全球存储芯片行业竞争层次

2、中国存储芯片奋起直追

虽然目前我国存储芯片行业全球市场份额较低,但其发展迅速,目前技术水平已达到行业主流水准。2016年以前,我国还不具有存储芯片研发、生产能力,芯片需求完全依赖进口。2016-2018年,武汉新芯、合肥长鑫、长江存储相继成立。

2018-2020年,长江存储攻克64层3DNAND技术并开始量产,打破了NAND Flash芯片的国际垄断。2021年,兆易创新推出首款自有品牌DDR4产品,实现了从设计、流片,到封测、验证的全国产化。

图表2:中国存储芯片行业发展历程

3、长江存储完成128层NAND Flash存储芯片技术突破

存储芯片有多种细分市场,以NAND Flash和DRAM存储芯片为主。长江存储作为我国NAND Flash龙头企业,完成128层NAND Flash存储芯片技术突破。Trendforce数据显示,三星、海力士、美光都计划在2020年推出128层的(TLC/QLC),而在2020年后,QLC将逐步发展并成为主流。

在2018年后,中国的长江储存技术出现在世界视野中,中国NAND Flash厂商长江存储(YMTC)已在2020年第一季将128层3D NAND样品送交存储控制器厂商,目标第三季进入投片、年底前量产,拟用于UFS、SSD等各类终端产品,并同时出货给模组厂。

图表3:全球NAND闪存领先企业技术线路图

4、合肥长鑫DRAM存储芯片产能快速扩张

在DRAM存储芯片市场,合肥长鑫完成快速增产。根据Trendforce数据,2020年美光和南亚尚未看到增产计划,三星与海力士有望在2021年分别扩产3万片/月、1万片/月,合肥长鑫将迎来快速增产的阶段,有望从2020年3季度的4万片/月到2021年4季度增产至8.5万片/月。

图表4:2020-2021年全球DRAM晶圆厂产能预估(单位:千片/月)

5、中国存储芯片:后来居上,前途广阔

中国存储芯片厂商发展力强,成长空间较大。从中国存储芯片行业竞争格局来看,市场主要由国外存储芯片巨头领导,细分领域也落后于国外及台湾厂商(如NOR Flash的旺宏/华邦等),但近年来国内厂商奋力追赶,已在部分领域实现突破,逐步缩小与国外原厂的差距,其中,兆易创新位列NOR Flash市场前三,聚辰股份在EEPROM芯片领域市占率全球第三,长江存储128层3DNAND存储芯片,直接跳过96层,加速赶超国外厂商先进技术。值得注意的是,兆易创新集团旗下还包含长鑫存储(CXMT),意味着兆易创新集团同时握有中国NOR Flash与DRAM的自主研发能力,扮演中国半导体发展的重要角色。

总而言之,中国存储芯片行业发展形势较为乐观,但还有一段漫长的路要走。

图表5:中国存储芯片市场厂商竞争力象限分析图

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