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三星DDR5 DRAM登场,DRAM新时代即将到来

    来源:中国电子报、电子信息产业网    作者:编辑部  2022-12-23
导读

12月21日,存储芯片领军企业三星宣布,其利用12纳米级制程工艺成功开发出16Gb DDR5 DRAM,并在最近与AMD完成了兼容性测试。据悉这款产品是业界最先进的高性能且低能耗的DDR5 DRAM。三星计划从明年开始批量生产,并向数据中心和人工智能等领域客户供货。DDR5作为最新的高带宽电脑存储器规格,目前在DRAM市场受到的关注度越来越高。据了解,与DDR4相比,DDR5将提供两倍以上的有效

来源:中国电子报、电子信息产业网  编辑部

12月21日,存储芯片领军企业三星宣布,其利用12纳米级制程工艺成功开发出16Gb DDR5 DRAM,并在最近与AMD完成了兼容性测试。据悉这款产品是业界最先进的高性能且低能耗的DDR5 DRAM。三星计划从明年开始批量生产,并向数据中心和人工智能等领域客户供货。

DDR5作为最新的高带宽电脑存储器规格,目前在DRAM市场受到的关注度越来越高。据了解,与DDR4相比,DDR5将提供两倍以上的有效带宽,有助于缓解每个核心的带宽紧张难题,可进一步推动CPU内核数量的增加,使计算能力逐年提高。继DDR5 DRAM成为英特尔“Alder Lake”第12代处理器的标准配置之后,AMD也宣布其7000系列处理器将支持DDR5内存,并已于9月27日正式上市。AMD表示,该平台将不再支持DDR4,只支持DDR5产品,这无疑将进一步扩大DDR5内存的需求。

DDR5似乎已经成为导致DRAM竞争激烈的一根“导火线”。围绕EUV光刻等DRAM领域的先进技术,三星、美光等领军企业始终保持着你追我赶的态势,不断推动DRAM领域迎来新的发展潮流。

12月19日,美光宣布,与AMD在奥斯汀建立联合服务器实验室,以减少服务器内存验证时间。目前美光适用于数据中心的DDR5内存和第四代AMD EPYCTM(霄龙)处理器均已出货。

三星作为业界的龙头老大,坐拥着DRAM40%以上的市场份额,自然也在加紧研究DDR5。此次他们推出的16Gb DDR5 DRAM所取得的技术突破是通过使用一种新的高介电(high-k)材料来增加电池电容,以及改进关键电路特性的专利设计技术来实现的。结合先进的多层EUV光刻技术,这款产品拥有三星最高的DDR5 Die密度,可使晶圆生产率提高20%,功耗有望节省约23%,最高支持7.2Gbps的运行速度,这意味着它可以在一秒钟内处理两部30GB超高清电影。12月22日,三星表示,为了抢占逐渐扩大的DDR5市场,计划从明年开始批量生产该产品,并向客户供货。

三星电子高级副总裁兼DRAM产品与技术负责人Jooyoung Lee表示:"三星12nm级DRAM将成为推动整个市场广泛采用DDR5 DRAM的关键因素。凭借卓越的性能和能效,我们希望新款DRAM能够成为下一代计算、数据中心和AI驱动系统等领域更可持续运营的基础。"

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