湖南三安8英寸碳化硅衬底进入小批量生产及送样阶段

来源：中国电子报、电子信息产业网  诸玲珍

日前，湖南三安半导体有限责任公司（以下简称“湖南三安”）发布消息称，公司碳化硅产品取得阶段性进展，部分产品已进入主流新能源汽车企业供应链。

大尺寸碳化硅衬底方面，湖南三安8英寸碳化硅衬底已完成开发，依托精准热场控制的自主PVT工艺，实现了更低成本及更低缺陷密度，产品进入小批量生产及送样阶段。下一步，公司将继续注重良率提升，加快设备调试与工艺优化，并持续推进湖南与重庆工厂量产进程。

碳化硅MOSFET方面，公司推出了650V~1700V宽电压范围的SiC MOSFET，产品以高性能、高一致性和高可靠性为特点，并可根据客制化要求，提供多种灵活工艺方案。其中,1700V/1000mΩ MOSFET主要使用在光伏逆变器的辅助电源，1200V/75mΩ MOSFET主要应用于新能源汽车的OBC，两款产品均处于客户端导入阶段，将逐步批量供货；1200V/16mΩ车规级芯片已在战略客户处进行模块验证。

产业合作方面，湖南三安与意法半导体在重庆设立三安意法半导体（重庆）有限公司，专门生产8英寸碳化硅晶圆,预计2025年完成阶段性建设并投产,2028年实现达产。