91金属网讯，公司在6月底的投资者关系活动记录表中回答“公司的研发或产品应用策略”时表示，随着公司产品应用的发展和延伸，公司逐步形成“一主两翼”的业务发展格局，“一主”是半导体电镀光刻，包括先进封装和晶圆制造领域，“两翼”是半导体显示、光伏新能源领域。公司聚焦主营业务，围绕电子电镀、光刻两个半导体制造及封装过程中的关键工艺环节。在电镀液及配套试剂方面，公司在持续夯实传统封装国内龙头地位的基础上，逐步在先进封装以及晶圆 28nm、14nm 先进制程取得突破，在光刻胶及配套试剂方面，公司也是聚焦于特色工艺光刻胶。
另就问题“先进封装负性光刻胶的技术难点？”上，公司回复表示，公司自产的先进封装用负性光刻胶用于制造Bumping 铜凸块，铜凸块宽度一般为 20μm，因此该款光刻胶的分辨率达到20μm 即可满足要求。但由于其开口深度远高于一般图形结构，要求光刻胶的涂布厚度达到 50-110μm，是一般光刻胶涂布厚度的50-100 倍，因此该款光刻胶对于涂布厚度、与基材结合力的要求高于一般光刻胶。此外，光刻胶显影后形成的开口经过电镀铜、电镀镍和电镀锡银（其中电镀铜用量最大）工艺完成铜凸块制造，因此该款光刻胶还需要耐受电镀。该款光刻胶的配方复杂度高，重要原材料树脂被国外光刻胶企业独家垄断供应来源，无外购渠道，由公司自行合成。
